Новости по метке:

hynix

Китайские антимонопольщики нашли доказательства сговора между производителями DRAM

Китайская государственная администрация по регулированию рынка проводит антимонопольное расследование ситуации на мировом рынке памяти DRAM. iXBT.com - оперативные новости, обзоры и тесты смартфонов, планшетов, ноутбуков и проекторов

Производители памяти доигрались: ценовой сговор разоблачён

Производители памяти доигрались: ценовой сговор разоблачён

Samsung, SK Hynix и Micron получат ататат за ценовой сговор на рынке памяти Overclockers.ru

SK Hynix представляет 16 Гб чипы DDR5

Один из крупнейших производителей оперативной памяти, SK Hynix, разработала память DDR5 объёмом 16 Гб, которая является первой в мире полностью отвечающей стандарту JEDEC. МИР NVIDIA — продукция NVIDIA, RivaTuner, железо, игры, утилиты и драйверы

Китайские антимонопольщики могут оштрафовать Samsung, SK Hynix и Micron на $8 млрд

Как все мы наблюдали, оптовые и розничные цены на микросхемы DRAM и продукцию с использованием памяти росли девять кварталов подряд с третьего квартала 2016 года. Новости для гиков

Hynix представила чипы для памяти DDR5

Компания SK Hynix сообщила об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5. Они, как утверждается, соответствуют требованиям комитета JEDEC. Их начнут производить в 2020 году. ИГРОМАНИЯ. Новые игры, видео обзоры игр, даты выхода игр, компьютерные игры, игры для PS3, игры для Xbox

Китайские антимонопольщики могут оштрафовать Samsung, SK Hynix и Micron на $8 млрд

Китайские антимонопольщики могут оштрафовать Samsung, SK Hynix и Micron на $8 млрд

Ещё с начала этого года китайские антимонопольные органы начали вести расследование в отношении компаний Samsung, SK Hynix и Micron, которые подозреваются в завышении цен на оперативную память. Все самое интересное из мира IT-индустрии

SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

Забегая вперёд, отметим, что к производству памяти DDR5 компания SK Hynix приступит только в 2020 году, поскольку данный стандарт DRAM пока ещё не принят комитетом JEDEC и не поддерживается разработчиками контроллеров и процессоров. Это лишь заготовка на будущее, которая ждёт...Все самое интересное из мира IT-индустрии

Улучшенный техпроцесс на 20 % увеличит выход памяти DDR4 компании SK Hynix

Улучшенный техпроцесс на 20 % увеличит выход памяти DDR4 компании SK Hynix

Массовые поставки чипов DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса компания начнёт в первом квартале календарного 2019 года. Все самое интересное из мира IT-индустрии

SK Hynix выпускает 96-слойную 4D NAND TLC память

Для сохранения физического пространства и увеличения ёмкости накопителей производители NAND памяти увеличивают количество слоёв размещения ячеек. МИР NVIDIA — продукция NVIDIA, RivaTuner, железо, игры, утилиты и драйверы

K Hynix выпустила свою флеш-память

Новая карта памяти собственного производства компании будет включать в себя несколько уникальных особенностей. Давайте рассмотрим, какие это особенности? iScience.ru Будущее уже здесь, в наших новостях

SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

STFW.Ru: Компания SK Hynix заявила о выпуске первых в мире 96-слойных чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Фактически эти чипы основаны на технологии 3D TLC, но производитель добавил в название четвёртое... Развитие Информационных Технологий

SK Hynix выпускает «первую в мире флэш-память 4D NAND»

SK Hynix не первый производитель, использовавший такую компоновку, как и не первый производитель, использующий технологию CTF, а не плавающего затвора. iXBT.com - оперативные новости, обзоры и тесты смартфонов, планшетов, ноутбуков и проекторов

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»(2)

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

Компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на […] Новости для гиков

06.11.2018(Crtl →)